[发明专利]离焦低敏感度、工艺窗口增强的光源-掩模批量优化方法有效

专利信息
申请号: 201910084372.X 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109634068B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 李艳秋;韦鹏志;李铁 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 11120 北京理工大学专利中心 代理人: 刘芳;仇蕾安
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出一种离焦低敏感度、工艺窗口增强的光源‑掩模批量优化方法,流程为:选择初始光源、掩模图形;建立离焦高保真度目标函数为目标图形与当前光源图形和掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方;构造离焦低敏感度罚函数项
搜索关键词: 离焦 掩模 光源 低敏感度 工艺窗口 优化 曝光图形 掩模图形 罚函数 计算目标函数 成像模型 传统光源 高保真度 光源图形 目标函数 目标图形 欧拉距离 矢量 光刻胶 空间像 鲁棒性 下降法 小批量 加权 焦深 成像 解析 更新
【主权项】:
1.一种离焦低敏感度、工艺窗口增强的光源-掩模批量优化方法,其特征在于,具体过程为:/n步骤一、初始化光源图形和掩模图形;/n步骤二、构造优化目标函数G:/n设F为成像保真度函数,定义为目标图形与当前光源图形和掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方;/n构造成像结果对离焦误差的低敏感度罚函数项
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