[发明专利]超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910085279.0 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109821480B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 赵智胜;张爽爽;罗坤;高宇飞;何巨龙;于栋利;胡文涛;田永君;徐波 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: B01J3/06 分类号: B01J3/06
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 代理人: 刘阳
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤:(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体;(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中,再装入高温高压组装块中;(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理;(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。上述超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法,以C60富勒烯粉末为原料,利用高温高压试验,通过调控温度与压力之间的关系,探索了C60富勒烯在高压下的相变行为,合成了具有高硬或超高硬度、致密的、半导体性质的非晶碳块体材料,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 半导体 性非晶碳 块体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体;(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中,再装入高温高压组装块中;(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理;(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。
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