[发明专利]超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法有效
申请号: | 201910085279.0 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109821480B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 赵智胜;张爽爽;罗坤;高宇飞;何巨龙;于栋利;胡文涛;田永君;徐波 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 刘阳 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: |
本发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤:(1)将C |
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搜索关键词: | 半导体 性非晶碳 块体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体;(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中,再装入高温高压组装块中;(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理;(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。
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