[发明专利]一种具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法有效
| 申请号： | 201910085435.3 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN111490454B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;陈康;刘青;苏建;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，先通过在二氧化硅钝化膜上涂负性光刻胶，之后再将负性光刻胶上的金属层中最上端的Au层进行粗化处理，粗化处理后再制备Au导电层可以提高Au导电层的覆盖的稳定性，金属层的制备速率较低，Au导电层中从第一Au层至第四Au层的生长速率依次增加，通过不同生长速率的方式就可以完成沟槽深度大于2um的脊型波导结构激光器由金属层及Au导电层构成的P面金属层的蒸镀，避免了P面聚合物填平，防止出现金属断层，操作方便，简化了工艺步骤，缩短了生产周期，同时降低了原材料的消耗，增加了整个工艺的可重复性以及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 gaas 激光器 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
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