[发明专利]纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅在审
| 申请号： | 201910085631.0 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109613799A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄华;谭伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅，涉及纳米压印技术领域，所述纳米图案的拼接方法包括：初始压印步骤：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；超疏水处理步骤：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；压印胶形成步骤：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；压印图案形成步骤：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；去除步骤：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。从而，本发明能消除拼接重叠区域高段差的问题，解决目前重叠区域高段差导致的剥落问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米图案 压印胶 纳米压印 拼接 拼接区域 光栅 衬底基板 重叠区域 压印板 段差 母板 去除 超疏水表面处理 纳米压印技术 压印步骤 压印图案 超疏水 邻接 剥落 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种纳米图案的拼接方法，其特征在于，包括：初始压印步骤：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；超疏水处理步骤：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；压印胶形成步骤：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；压印图案形成步骤：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；去除步骤：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。
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