[发明专利]一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法，该探测器由钝化层、上电极、异质结、下电极和本征单晶硅衬底组成。上电极为导电且对可见光和红外透明的材料。异质结分为异质结上层和异质结下层，异质结上层为对可见光敏感且能透过红外的纳米薄膜，异质结下层为本征单晶硅。当可见光和红外透过上电极和异质结上层，在异质结中可见光激发出电子空穴对，被上、下电极收集并通过纵向设置的金属柱流出，而红外穿过整个探测结构，实现对可见光探测的同时不影响红外的透过。与传统结构相比，电极与结区距离很小，可降低电子空穴对在到达电极之前的复合率，提高光生载流子的收集效率。纵向金属的结构设计减少光遮挡，提高了灵敏度。

主权项

1.一种透红外的高灵敏可见光探测器，其特征在于，从下至上，依次包括本征单晶硅衬底(2)、下电极(3)、对可见光进行探测的异质结(15)、金属框(12)、上电极(13)和钝化层(14)；其中，异质结(15)包括异质结下层(4)和异质结上层(5)；上电极(13)采用导电且对可见光和红外透明的材料，为一维导电纳米线构成的网格；异质结上层(5)为对可见光敏感且对红外透明的纳米薄膜；异质结下层(4)为本征单晶硅；下电极(3)为本征单晶硅重掺杂离子形成的导电层；下电极(3)的下方为本征单晶硅衬底(2)。