[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201910085715.4 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109873057A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括第一叠层结构、第二叠层结构、第三叠层结构和第四叠层结构，第一叠层结构的量子垒包括第一子层、第二子层和第三子层，第二叠层结构的量子垒包括第四子层和第五子层，第一子层、第三子层、第四子层、第四叠层结构的量子垒的材料均采用不掺杂的氮化镓，第二子层、第五子层、第三叠层结构的量子垒的材料均采用掺杂硅的氮化镓；第一叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度、第二叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度、第三叠层结构中硅的掺杂浓度逐渐减小。本发明最终提高辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层结构 子层 量子垒 发光二极管外延 掺杂 氮化镓 源层 半导体技术领域 辐射复合效率 逐渐减小 掺杂的 掺杂硅 缓冲层 外延片 生长 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述有源层包括依次层叠的第一叠层结构、第二叠层结构、第三叠层结构和第四叠层结构，所述第一叠层结构、所述第二叠层结构、所述第三叠层结构和所述第四叠层结构均包括至少一个量子阱和至少一个量子垒，所述量子阱和所述量子垒交替层叠设置；所述第一叠层结构的量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第二叠层结构的量子垒包括依次层叠的第四子层和第五子层，所述第一子层的材料、所述第三子层的材料、所述第四子层的材料、所述第四叠层结构的量子垒的材料均采用不掺杂的氮化镓，所述第二子层的材料、所述第五子层的材料、所述第三叠层结构的量子垒的材料均采用掺杂硅的氮化镓；所述第一叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度大于所述第二叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度，所述第二叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度大于所述第三叠层结构中硅的掺杂浓度。
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