[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201910085722.4 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109904287B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、插入层、有源层和P型半导体层，插入层包括第一超晶格结构、第二超晶格结构和第三超晶格结构，第一超晶格结构的叠层结构包括第一子层和第二子层，第二超晶格结构的叠层结构包括第三子层和第四子层，第三超晶格结构的叠层结构包括第五子层、第六子层和第七子层，第一子层的材料采用氮化铝，第二子层、第三子层和第六子层的材料采用氮化镓，第四子层、第五子层和第七子层的材料采用氮化铝镓，第五子层中铝组分的含量等于第四子层中铝组分的含量，第七子层中铝组分的含量大于第五子层中铝组分的含量。本发明可提高复合发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、插入层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述插入层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述插入层包括依次层叠的第一超晶格结构、第二超晶格结构和第三超晶格结构，所述第一超晶格结构、所述第二超晶格结构和所述第三超晶格结构均包括多个依次层叠的叠层结构；所述第一超晶格结构的叠层结构包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮化铝，所述第二子层的材料采用氮化镓；所述第二超晶格结构的叠层结构包括依次层叠的第三子层和第四子层，所述第三子层的材料采用氮化镓，所述第四子层的材料采用氮化铝镓；所述第三超晶格结构的叠层结构包括依次层叠的第五子层、第六子层和第七子层，所述第五子层的材料采用氮化铝镓，所述第五子层中铝的掺杂浓度等于所述第四子层中铝的掺杂浓度，所述第六子层的材料采用氮化镓，所述第七子层的材料采用氮化铝镓，所述第七子层中铝的掺杂浓度大于所述第五子层中铝的掺杂浓度。
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