[发明专利]一种低水峰大尺寸光纤预制棒及其制造方法

摘要

本发明涉及一种低水峰大尺寸的光纤预制棒及其制造方法，制造方法为：利用MCVD工艺先后在作为下限层的掺氟石英管内壁沉积内包层和芯层，获得沉积管，并将沉积管熔缩，得到具有芯层、内包层和下陷层的实心预制芯棒；利用OVD工艺在实心预制芯棒外部沉积外包层疏松体，然后进行烧结处理，得到合成芯棒；利用RIC工艺将合成芯棒与连熔石英套管组合成低水峰大尺寸光纤预制棒。本发明制备的光纤预制棒的直径可达230mm，单根预制棒拉纤长度可达到3300km，光纤在1310nm处的衰减≤0.315dB/km，在1383nm处的衰减系数≤0.268dB/km，在1550nm波长处的衰减系数≤0.175dB/km。

主权项

1.一种低水峰大尺寸的光纤预制棒的制造方法，其特征在于，步骤如下：利用MCVD工艺先后在作为下限层的掺氟石英管内壁沉积内包层和芯层，获得沉积管，并将沉积管熔缩，得到具有芯层、内包层和下陷层的实心预制芯棒，内包层直径b与芯层直径a的比值b/a为2.0‑3.0，实心预制芯棒的直径c与芯层直径a的比值c/a为4.5‑5.5；利用OVD工艺在实心预制芯棒外部沉积外包层疏松体，通过沉积喷灯的甲烷焰将外包层疏松体的表面温度达到1000～1100℃，使外包层疏松体的密度大于0.9g/cm³，然后进行烧结处理，得到合成芯棒，所述合成芯棒的直径d与芯层直径a的比值d/a为7.8‑8.5；所述烧结处理方法为：使烧结炉内的合成芯棒以3‑6rpm的速度自转，往烧结炉内通入惰性保护气体和氯气，然后使烧结炉以10‑13℃/min的升温速率升到850‑950℃，保温1‑2h，然后以6‑9℃/min的升温速率升到1050‑1150℃，保温2‑3h，完成脱水处理；关闭氯气，使合成芯棒以7‑11rpm的速度自转，然后使烧结炉以8‑12℃/min的升温速率升到1250‑1450℃，保温5‑7h，完成玻璃化处理；利用RIC工艺将合成芯棒与连熔石英套管组合成低水峰大尺寸光纤预制棒。