[发明专利]制作半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201910085896.0 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504170A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张正伟;林钰庭;洪敏修;赵翊翔;林高峰;黄鸿仪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极/漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 制程 氢气流 源极/漏极区 绝缘结构 栅极结构 沉积氮化钛层 半导体结构 钛硅化物层 反应腔室 沉积 基板 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体结构的方法，包括：/n提供具有一栅极结构、该栅极结构上的一绝缘结构、以及一源极/漏极区的一基板；/n以一第一化学气相沉积制程沉积一钛硅化物层于该源极/漏极区上，且该第一化学气相沉积制程包括一第一氢气流；以及/n以一第二化学气相沉积制程沉积一氮化钛层于该绝缘结构上，且该第二化学气相沉积制程包括一第二氢气流，其中该第一化学气相沉积制程与该第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且该第一氢气流的流速大于该第二氢气流的流速。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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