[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201910085900.3 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110211857A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 潘昇良;郭国凭;洪嘉阳;陈炳宏;谢志宏;孙书辉;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在此所述的实施例涉及等离子体处理方法。工具包含基座。基座被配置以支撑半导体基板。工具包含偏压源。偏压源电性耦接至基座。偏压源可操作以利用直流(DC)电压偏置基座。工具包含等离子体产生器。等离子体产生器可操作以从基座远端产生等离子体。一种半导体工艺方法包含在工具中的基板上进行等离子体处理。等离子体处理包含将气体流入工具。等离子体处理包含将工具中支撑基板的基座偏置。等离子体处理包含在工具中使用气体点燃等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理 偏压源 等离子体 等离子体产生器 可操作 基板 半导体工艺 半导体基板 电性耦接 电压偏置 气体点燃 中支撑 偏置 远端 配置 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，包括：产生含多个带负电荷的氧离子的等离子体；将基板暴露于所述等离子体，所述基板在被暴露于所述等离子体时设置于基座上；在将所述基板暴露于所述等离子体时，施加负直流偏压至所述基座，以从所述基板排斥所述多个带负电荷的氧离子。
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