[发明专利]一种激光辅助加热退火的方法有效
| 申请号： | 201910085905.6 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN111489968B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 安海岩;于海;王威;王虎 | 申请（专利权）人： | 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光辅助加热退火的方法，包括：根据所述加热退火装置内的待退火材料，确定激光的特定波长，选择激光器；根据所述待退火材料、所述加热区面积，获得所述待退火材料的退火要求；根据所述退火要求、所述特定波长的激光光束，调整所述激光器与所述加热区的位置关系及光学镜组角度；根据所述退火要求，控制所述激光器发射所述特定波长的激光光束，所述激光光束通过所述光学镜组，使所述激光光束聚焦于所述加热区并达到所述退火要求。解决对微小区域面积的退火不能进行特定精细分区加热的技术问题。实现自由空间区域的精密选择，针对不同退火材料选择合适激光器，通过激光聚焦直接加热的方式在退火温度及退火速率提升的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 辅助 加热 退火 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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