[发明专利]运算跨导放大器

摘要

本发明公开了一种适应于深亚微米CMOS工艺的电源电压较低特点的运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，以及给差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路。在深亚微米CMOS工艺下(标称电源电压为1～1.2V)，本发明运算跨导放大器的输入偏置电压仍然能够设置成与输出共模电压VOCM相等的值，即电源电压的一半，虽然此时尾电流源的压降很小，但是仍能维持恒定电流，因而本发明的运算跨导放大器仍然可以获得较高的共模抑制比。基于本发明的运算跨导放大器的反相比例放大器不但在维持最大输入输出摆幅的同时规避了建立问题，而且不再需要额外的输入共模反馈电路。与传统结构相比，额外增加的NMOS管和偏置恒定电流源仅对运算跨导放大器贡献共模噪声，不会带来闭环带宽减小、噪声恶化等问题。

主权项

1.一种运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，其特征在于：其还包括用以给所述差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路；所述差分输入级包括PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1和NMOS管N2；PMOS管P3和PMOS管P4两者的源极连接；PMOS管P3和PMOS管P4的栅极分别连接差分输入信号Vin‑、Vin+；PMOS管P3和PMOS管P4的漏极分别与NMOS管N1和NMOS管N2的漏极连接；NMOS管N1的漏极与其栅极连接；NMOS管N1的栅极和NMOS管N2的栅极连接，NMOS管N1和NMOS管N2的源极均接地；所述自适应偏置镜像电流源电路包括PMOS管P1、PMOS管P2、NMOS管N3、NMOS管N4、偏置恒定电流源I1和偏置恒定电流源I2；PMOS管P1和PMOS管P2的源极均连接电源电压VDD，两者的栅极连接；PMOS管P1的漏极连接PMOS管P3和PMOS管P4的源极；偏置恒定电流源I2的输入端连接电源电压VDD，其输出端连接PMOS管P1、PMOS管P2两者的栅极和NMOS管N4的漏极；NMOS管N4的栅极连接PMOS管P1的漏极；NMOS管N3的漏极和栅极相连，NMOS管N3的漏极连接PMOS管P2的漏极；NMOS管N3的源极和NMOS管N4的源极相连、且连接偏置恒定电流源I1的输入端，偏置恒定电流源I1的输出端接地。