[发明专利]氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910086784.7 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109704592B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 任洋;贺海燕;方彤;赵高扬 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜，以钠钙玻璃为基板，在基板上覆盖有氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜。该薄膜能够解决当前二氧化钛电致变色性能低的问题。本发明薄膜的制备方法具体为：步骤1，配制含Ti‑F元素的复合溶胶C；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，将带有氟掺杂二氧化钛感光凝胶膜基片置于四光束激光干涉系统中曝光；步骤4，将曝光后的氟掺杂二氧化钛感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，将未曝光部分溶洗去除，得到氟掺杂二氧化钛的纳米阵列凝胶膜基片；步骤5，将氟掺杂二氧化钛的纳米阵列凝胶膜基片放置于马弗炉中于450℃下真空退火处理60分钟，得到氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 纳米 阵列 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜，其特征在于，以钠钙玻璃为基板，在基板上覆盖有氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜。
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