[发明专利]一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统有效
| 申请号： | 201910086996.5 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109686410B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G16C20/10 | 分类号： | G16C20/10;G06F30/398;G06F30/28;G06F119/14;G06F113/08;G06F119/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统，通过考虑钨金属与研磨液之间的化学反应，以及钨金属和研磨垫间的机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学模型和流体动力学模型，然后求解力平衡方程，最终建立一种W CMP多物理工艺仿真方法。本发明主要揭示了W CMP过程中的多种物理化学关系，从而更加真实地模拟CMP的去除过程，相比于现有CMP技术，模型更加合理和精确，物理意义更加明确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 物理 工艺 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种W CMP多物理工艺仿真方法，其特征在于，包括：根据W金属与研磨液的化学反应和机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学方程；根据所述W CMP化学反应动力学方程、质量平衡原理及表面组成关系，建立W CMP表面动力学模型；根据浓度扩散传质速率方程、研磨液边界层厚度、以及所述研磨液中的氧化剂与钨金属的一级化学反应速率方程，建立研磨液动力传质模型，并计算得到研磨液的传质表面浓度；根据钨金属表面接触应力和流体应力，以及接触应力和钨金属机械去除反应常数间关系，建立W CMP流固耦合模型，计算获得钨金属表面所受到的机械应力；根据所述钨金属机械去除反应常数、所述机械应力和所述研磨液的传质表面浓度，以及所述W CMP表面动力学模型，计算得到W研磨去除速率。
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