[发明专利]一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法

摘要

本发明公开了一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法，该方法包括：半导体基底表面接枝；水解反应；退火处理。该方法采用重氮盐表面接枝技术，将含有氰基的单体接枝到半导体表面，然后通过水解反应，氰基水解为酰胺基与羧基，最后退火过程中羧基与酰胺基脱水缩合，基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。

主权项

1.一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法，其特征在于，包括：A1：半导体基底表面接枝：将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝，接枝温度10～40℃，接枝时间15～120min，在半导体基底表面接枝上长链结构，接枝后长链中的氰基自发水解为酰胺基；A2：接枝薄膜的官能团水解：将所述步骤A1所得样品放置于体积分数为1～50％的酸性溶液中浸泡进行水解，水解温度10～100℃，水解时间10～180min，通过控制酸性溶液的浓度、水解温度以及水解时间，使部分酰胺基水解为羧基；A3：退火处理：对所述步骤A2所得样品进行退火处理使长链中的羧基与酰胺基脱水缩合，保温温度为150～300℃，保温时间为5～120min，得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。