[发明专利]一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法有效

专利信息
申请号: 201910087483.6 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109852954B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 熊立双;刘阳;杭弢;吴蕴雯;高立明;李明 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44;C23C18/20;B82Y40/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 封喜彦;胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法,该方法包括:A1:聚合物表面预处理,将聚合物薄膜放置于预处理溶液中,在20~25℃下静置10~90min;A2:聚合物表面生长纳米钯颗粒,将所述步骤A1所得产物放置于纳米金属钯颗粒生长溶液中,在50~80℃下静置30~60min。本发明只需要两步简单的操作即可在聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒,而且也不要复杂、精密设备,在大气环境下即可操作,因此本发明有效地节约了成本。
搜索关键词: 一种 聚合物 薄膜 表面 生长 纳米 金属 颗粒 方法
【主权项】:
1.一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法,其特征在于,包括:A1:聚合物表面预处理:将聚合物薄膜放置于预处理溶液中,在20~25℃下静置10~90min,在聚合物薄膜表面通过接枝产生对钯离子具有吸附作用的化学吸附位点;A2:聚合物表面生长纳米钯颗粒:将所述步骤A1所得产物放置于纳米金属钯颗粒生长溶液中,在50~80℃下静置30~60min,所述纳米金属钯颗粒生长溶液为含有钯离子的酸性溶液。
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