[发明专利]一种湿法刻蚀设备及方法有效
| 申请号： | 201910087492.5 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109904095B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 顾立勋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种湿法刻蚀设备及方法，其中，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910087492.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅铸锭硅片清洗设备
- 下一篇：一种半导体装片一体机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
