[发明专利]六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用

摘要

本发明公开了一种六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用，化学式为In₂Se₃，分子量为466.52，其单晶属于六方晶系，空间群为P6₅，晶胞参数为：a=b=7.1231(3)Å,c=19.393(2)Å,α=β=90°，γ=120°,V=852.12(10)ų,Z=6。通过高温固相法获得In₂Se₃晶体，硒化铟晶体展现出了优异的非线性光学性能，In₂Se₃晶体粉末呈现较大的倍频效应，约为AgGaS₂的1.5倍，且在2100 nm激光下可实现相位匹配；其抗激光损伤阈值为AgGaS₂的7.3倍，可应用在中远红外波段的探测器和激光器的重要器件。

主权项

1.六方相硒化铟晶体，其特征在于，化学式为In₂Se₃，分子量为466.52，其单晶属于六方晶系，空间群为P6₅，晶胞参数为：a = b = 7.1231(3) Å, c = 19.393(2) Å, α = β = 90 °，γ = 120 °, V = 852.12(10) Å³, Z = 6。