[发明专利]一种基于准调制掺杂效应的异质结构氧化物薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201910087938.4 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109888019B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;刘玲 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/267;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，更具体地，涉及一种基于准调制掺杂效应的异质结构氧化物薄膜晶体管；由下至上依次为栅电极、绝缘栅层、异质有源层、源漏电极，所述的异质有源层包括与绝缘层接触的窄带隙氧化物半导体层，位于窄带隙氧化物半导体层上的宽带隙氧化物半导体层。晶体管的开启电压可通过调控宽带隙层的组分、厚度等参数进行调控，同时，由于准调制掺杂效应，薄膜晶体管的迁移率获得大幅提高。该发明专利为高性能薄膜晶体管的制备提供了一种新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 调制 掺杂 效应 结构 氧化物 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种基于准调制掺杂效应的异质结构氧化物薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次为栅电极、绝缘栅层、异质有源层、源漏电极，所述的异质有源层包括与绝缘层接触的窄带隙氧化物半导体层，位于窄带隙氧化物半导体层上的宽带隙氧化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910087938.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
