[发明专利]衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片在审

专利信息
申请号: 201910088182.5 申请日: 2019-01-29
公开(公告)号: CN109672086A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 李璞;赵嘉敏;贾志伟;王云才;张星 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187
代理公司: 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 代理人: 戎文华
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片,包括垂直腔面发射激光器结构和衬底掺杂杂质元素结构;所述垂直腔面发射激光器结构是由从上到下依次紧密排列的P面电极、P型分布布拉格反射镜、有源区、N型分布布拉格反射镜及N面电极构成;所述衬底掺杂杂质元素结构是由衬底和大颗粒杂质元素构成;本发明利用随机光反馈产生混沌激光,彻底消除了光反馈半导体激光器的时延特征,并基于垂直腔面发射混沌激光器,阈值电流低,功耗小,输出光沿着垂直于衬底片的方向,易于大规模二维阵列集成,工艺简单,成本低,可广泛应用于保密通信、激光雷达、物理随机数产生等领域。
搜索关键词: 衬底 垂直腔面发射 混沌激光 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 掺杂杂质 元素结构 光反馈 掺杂 芯片 半导体激光器 大颗粒杂质 混沌激光器 物理随机数 反馈 保密通信 从上到下 二维阵列 激光雷达 紧密排列 阈值电流 衬底片 输出光 功耗 时延 源区 垂直 应用
【主权项】:
1.一种衬底掺杂反馈垂直腔面发射混沌激光芯片,包括垂直腔面发射激光器结构和衬底掺杂杂质元素结构;其特征在于:所述垂直腔面发射激光器结构是由从上到下依次紧密排列的P面电极、P型分布布拉格反射镜、有源区、N型分布布拉格反射镜、N面电极构成,其中,P型分布布拉格反射镜、N型分布布拉格反射镜以及夹在它们之间的有源区构成有源谐振腔,提供激光激射所需增益物质,实现粒子数反转,出射激光;所述衬底掺杂杂质元素结构是由衬底和大颗粒杂质元素构成,这一结构对出射光实现随机的后向散射过程,造成随机扰动,最终产生没有时延特征的混沌激光。
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