[发明专利]存储器装置及其形成方法

摘要

本发明的实施例提供一种存储器装置及其形成方法。方法包含在衬底上方的下部内连线层上方形成存储单元堆叠，存储单元堆叠包含位于底部金属上方的数据存储层。第一介电层形成在存储单元堆叠上方。第一掩模层形成在第一介电层上方。第一掩模层上覆于第一介电层的中心部分，且使得第一介电层的牺牲部分未经覆盖。根据第一掩模层形成第一介电层的第一刻蚀。金属间介电层形成在存储单元堆叠上方。顶部电极形成于存储单元堆叠上方的金属间介电层内。上部内连线层形成在顶部电极上方。上部内连线层以及下部内连线层包括与顶部电极不同的材料。