[发明专利]一种梯度磁场微流控芯片有效
| 申请号： | 201910088561.4 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109746064B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 汤曼;张琴韵 | 申请（专利权）人： | 武汉纺织大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 董路;王敏锋 |
| 地址： | 430200 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种梯度磁场微流控芯片，包括盖片和基片，盖片位于基片的正上方，基片的一表面上镀有导电薄膜，基片镀有导电薄膜的表面上设有具有磁性梯度变化的磁性结构，盖片下表面上设有流体沟道，流体沟道上与磁性结构对应的位置处设有捕获区，捕获区呈膨大状，盖片的两端分别设有注入口和排出口，注入口和排出口分别与流体沟道连通，磁性结构的磁场强度从注入口至排出口的方向依次减少或增加，基片和磁性结构均与盖片通过粘结剂层密封连接。该微流控芯片结构简单，便于制作，成本低廉，能够对不同磁力组分进行分选，进而能够对不同蛋白表达量的循环肿瘤细胞进行分型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 磁场 微流控 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种梯度磁场微流控芯片，包括盖片和基片，盖片位于基片的正上方，其特征在于：基片的一表面上镀有导电薄膜，基片镀有导电薄膜的表面上设有具有磁性梯度变化的磁性结构，盖片下表面上设有流体沟道，流体沟道上与磁性结构对应的位置处设有捕获区，捕获区呈膨大状，盖片的两端分别设有注入口和排出口，注入口和排出口分别与流体沟道连通，磁性结构的磁场强度从注入口至排出口的方向依次减少或增加，基片和磁性结构均与盖片通过粘结剂层密封连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉纺织大学，未经武汉纺织大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910088561.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微液滴检测系统
- 下一篇：一种取液件下部通道间的连接结构
