[发明专利]双异质结光敏二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201910088614.2 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109873046B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;范旭东;潘棋;任羿烜;代天军;罗文博;张万里;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
双异质结光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb |
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| 搜索关键词： | 双异质结 光敏 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb1‑xSnxSe或Pb1‑xSnxTe，其中0≤x≤1；所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1‑yWySe2，其中0≤y≤1；所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1‑zSe2，其中0≤z≤1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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