[发明专利]半导体晶体的生长装置及方法有效
| 申请号： | 201910088988.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109881253B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王金灵;廖彬;周铁军;刘留 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶体的生长装置，该装置包括一炉体，炉体包括一支撑平台、垂直固定于支撑平台上的一支撑杆、一加热室，加热室形成封闭的一圆柱形空腔，支撑杆上开设一架设孔，该装置还包括位于空腔内的一环形加热器、一石英管、一籽晶、一碳帽、一第一PBN坩埚、一第二PBN坩埚以及一石英帽，石英管架设于支撑杆上；石英管包括一石英嘴以及沿石英嘴向上延伸的一石英筒，石英筒包括第一段、第二段以及连接第一段和第二段的过渡段，第一段、第二段呈直筒状且第一段和第二段的中心轴线为同一竖直线，过渡段为弧形状，第二段的直筒半径大于第一段的直筒半径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体的生长装置，其特征在于：该装置包括一炉体，炉体包括一支撑平台、垂直固定于支撑平台上的一支撑杆、一加热室，加热室形成封闭的一圆柱形空腔，支撑杆上开设一架设孔，该装置还包括位于空腔内的一环形加热器、一石英管、一籽晶、一碳帽、一第一PBN坩埚、一第二PBN坩埚以及一石英帽，石英管架设于支撑杆上；石英管包括一石英嘴以及沿石英嘴向上延伸的一石英筒，石英筒包括第一段、第二段以及连接第一段和第二段的过渡段，第一段、第二段呈直筒状且第一段和第二段的中心轴线为同一竖直线，过渡段为弧形状，第二段的直筒半径大于第一段的直筒半径。
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