[发明专利]一种用于光伏多晶硅生产的Si2 有效
| 申请号： | 201910089374.8 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109704782B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 贺刚;邓书香;王良;杨增朝;李江涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/597 | 分类号： | C04B35/597;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于光伏多晶硅生产的Si |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 生产 si base sub | ||
【主权项】：
1.一种用于光伏多晶硅生产的Si2N2O陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将混合粉体置于氮气气氛中，诱发混合粉体发生自蔓延燃烧反应，得到Si2N2O陶瓷粉体；其中，所述混合粉体包括Si粉和SiO2粉；所述混合粉体还包括Si2N2O粉和/或NH4Cl粉。
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