[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910089450.5 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110010757A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 徐晨祐;黄韦翰;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)结构，包括底部电极结构。磁性隧道结(MTJ)元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。该MRAM结构还包括位于第一部分上方的顶部电极结构。本发明还公开了磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻式随机存取存储器 底部电极结构 反铁磁材料层 铁磁固定层 铁磁自由层 隧道层 磁性隧道结 顶部电极 消磁 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM(磁阻式随机存取存储器)结构，包括：底部电极结构；位于所述底部电极结构上方的磁性隧道结MTJ元件，所述MTJ元件包括：位于所述底部电极结构上方的反铁磁材料层；位于所述反铁磁材料层上方的铁磁固定层；位于所述铁磁固定层上方的隧道层；和位于所述隧道层上方的铁磁自由层，所述铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分，其中，所述铁磁自由层的所述消磁的第二部分包括钴、镍、铁、硼、氮中的至少一种；以及位于所述第一部分上方的顶部电极结构；位于所述顶部电极结构的侧壁表面上方和所述铁磁自由层的所述消磁的第二部分上方的保护间隔件，并且所述保护间隔件暴露所述顶部电极结构的顶表面，其中，至少一个所述保护间隔件具有曲面，所述曲面与所述消磁的第二部分对准，并且所述曲面从所述消磁的第二部分延伸，在所述第一部分和所述消磁的第二部分的交叉点对准处与所述顶部电极结构相交，其中，所述保护间隔件的侧壁表面与通过等离子体环境中的蚀刻工艺形成的所述MTJ元件的侧壁表面对准。
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