[发明专利]晶圆检测缺陷的分类方法有效
| 申请号： | 201910089873.7 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109817540B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆检测缺陷的分类方法，包括如下步骤：步骤一、晶圆上用于形成多个芯片，根据版图定义出各芯片的各功能模块的地址空间；步骤二、进行缺陷检测并记录各缺陷的地址；步骤三、将各缺陷的地址和步骤一中的各功能模块的地址空间进行比对，用所对应的功能模块的代码来表示缺陷从而实现缺陷分类。本发明能将缺陷和晶圆的芯片的失效分析过程中的失效测试现象实现明确对应，方便芯片的失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 缺陷 分类 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆检测缺陷的分类方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、晶圆上用于形成多个芯片，各所述芯片包括多个功能模块，根据版图定义出各所述芯片的各所述功能模块的地址空间；步骤二、对所述晶圆进行缺陷检测，记录所检测到的各所述缺陷的地址；步骤三、将各所述缺陷的地址和步骤一中的各所述功能模块的地址空间进行比对，当所述缺陷位于对应的所述功能模块的地址空间时，用所对应的所述功能模块的代码来表示所述缺陷，从而实现对所述缺陷的分类。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910089873.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆测厚装置及晶圆测厚系统
- 下一篇：扫描方法、控制装置、检测单元及生产系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
