[发明专利]MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、依次形成栅介质层、多晶硅栅和第二介质层；步骤二、光刻加刻蚀工艺形成栅极结构；步骤三、依次形成第三至五介质层，第五和第二介质层的材料相同；步骤四、进行刻蚀形成侧墙，侧墙的顶部表面和第二介质层的顶部表面相平；步骤五、去除第五介质层并同时去除第二介质层，在多晶硅栅顶部形成一个由侧墙围成的凹陷区域；步骤六、形成金属硅化物，多晶硅栅顶部的金属硅化物形成于凹陷区域中且顶部表面位于侧墙的顶部表面以下。本发明能通过侧墙对多晶硅栅顶部的金属硅化物的侧面进行保护，能防止多晶硅栅顶部的金属硅化物和邻近的源漏顶部的接触孔短路，从而能提高器件的耐久性。

主权项

1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上依次形成栅介质层和多晶硅栅，在所述多晶硅栅表面形成第二介质层；步骤二、光刻定义出栅极结构的形成区域，依次对所述第二介质层、所述多晶硅栅和所述栅介质层进行刻蚀形成由所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加而成的栅极结构，在所述多晶硅栅的顶部同时叠加了所述第二介质层；步骤三、依次形成第三介质层、第四介质层和第五介质层，所述第五介质层的材料和所述第二介质层的材料相同；步骤四、采用全面刻蚀工艺对所述第五介质层、所述第四介质层和所述第三介质层进行刻蚀并在所述栅极结构的侧面自对准形成侧墙；所述侧墙由所述第三介质层、所述第四介质层和所述第五介质层叠加而成，所述侧墙的顶部表面和所述第二介质层的顶部表面相平；步骤五、在形成金属硅化物之前进行去除所述第五介质层的步骤，所述第二介质层也同时被去除，所述第二介质层被去除之后在所述多晶硅栅顶部形成一个由所述侧墙围成的凹陷区域，所述凹陷区域自对准定义出所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的形成区域；步骤六、形成所述金属硅化物，所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物形成于所述凹陷区域中且所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的顶部表面位于所述侧墙的顶部表面以下，通过所述侧墙对所述多晶硅栅顶部的所述金属硅化物的侧面进行保护。