[发明专利]一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910090081.1 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109581559B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;袁牧锋;崔雨舟 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F1/80;G03F7/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构，涉及光学器件领域，其包括多孔硅基底，以及多个光栅纳米结构单元。光栅纳米结构单元的形状均为四角双锥，一半埋于多孔硅基底内，一半暴露于多孔硅基底之外。该四角双锥形状的光栅纳米结构单元，能在空气和器件之间提供更加渐进的有效折射率分布，进而提高器件的光灵敏度、光能采集率等。一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构的制备方法，其操作简单，对设备要求不高，可以及其方便地用于上述四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四角 阵列 组成 光栅 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构，其特征在于，包括多孔硅基底，以及多个光栅纳米结构单元；所述多孔硅基底包括安装面，所述安装面上阵列设置有多个用于安装所述光栅纳米结构单元的孔穴，所述孔穴的形状为倒置的四角锥，四角锥的顶点朝向所述多孔硅基底的内部，底面位于所述安装面上；所述光栅纳米结构单元的材质为聚二甲基硅氧烷；多个所述光栅纳米结构单元与多个所述孔穴一一对应，每个所述光栅纳米结构单元的形状均为四角双锥，其包括上锥体和下锥体，所述下锥体埋入所述孔穴中，所述上锥体暴露于所述多孔硅基底之外。
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