[发明专利]一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法

摘要

本发明提出了一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法，解决了传统电路级单粒子效应仿真中故障注入模型无法模拟粒子入射的随机性导致仿真精度差的问题。该方法通过最劣情况下单粒子瞬态效应的实际脉冲电流特性曲线修正器件单粒子瞬态电流源模型，并基于中心极限定理实现具有高斯分布单粒子脉冲故障注入模型，还根据被测电路的版图信息以及器件单粒子效应敏感区域信息计算有效入射概率，进而得出符合实际的有效入射粒子数量，从而模拟粒子入射的随机性，提高了仿真精度。

主权项

1.一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法，其特征在于，包括：步骤一：采用双指数模型作为基础模型对被测电路单粒子效应进行建模，记为单粒子瞬态效应双指数模型；设定最劣情况的粒子入射角度和入射位置，进行单粒子瞬态效应实验，根据实验数据得出器件单粒子瞬态效应的实际脉冲电流特性曲线，修正单粒子瞬态效应双指数模型中的各个参数，获得该最劣情况下的器件单粒子瞬态电流源模型；步骤二：根据步骤一中所述实验数据，获得单粒子实际LET分布，通过计算获得LET高斯分布的参数，最终得到基于实验统计结果的LET分布函数；步骤三：将步骤二得到的LET分布函数代入步骤一建立的器件单粒子瞬态电流源模型，获得基于粒子入射随机性的单粒子故障模型，并采用VerilogA语言实现该故障模型；步骤四：根据被测电路的电路网表获得电路节点列表，并根据入射粒子数量随机选择故障模型注入节点进行故障注入。