[发明专利]具有多级渐变波导结构的太赫兹片上集成天线过渡结构有效
| 申请号： | 201910090940.7 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109828330B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张勇;朱华利;杜浩;夏雷;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/42;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 51268 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有多级渐变波导结构的太赫兹片上集成天线过渡结构，包括依次连接的：输入高次模抑制结构、太赫兹芯片电路及输出高次模抑制结构；所述输入高次模抑制结构、输出高次模抑制结构均至少包括：三级波导，三级波导的H面宽度相等且E面宽度逐级增加或减少，且输入高次模抑制结构与输出高次模抑制结构中各级波导E面重合；所述输入高次模抑制结构、输出高次模抑制结构的末级波导的末端与太赫兹芯片宽度相等；本发明通过在太赫兹片上集成天线过渡的输入、输出端引入多段渐变波导结构实现标准波导与太赫兹芯片的阻抗匹配并抑制高次模。 | ||
| 搜索关键词： | 高次模 抑制结构 渐变波导 片上集成 波导 输出 天线 过渡结构 宽度相等 芯片 标准波导 结构实现 芯片电路 依次连接 逐级增加 阻抗匹配 波导E面 输出端 重合 多段 末级 引入 | ||
【主权项】：
1.具有多级渐变波导结构的太赫兹片上集成天线过渡结构，其特征在于，包括依次连接的：输入高次模抑制结构、太赫兹芯片及输出高次模抑制结构；/n所述输入高次模抑制结构、输出高次模抑制结构均至少包括：三级波导，三级波导的H面宽度相等且E面宽度逐级增加或减少，且输入高次模抑制结构与输出高次模抑制结构中各级波导E面重合；所述输入高次模抑制结构、输出高次模抑制结构的末级波导的末端与太赫兹芯片宽度相等；/n所述输入高次模抑制结构中波导的E面中心线与太赫兹芯片中心线处于同一水平面，所述输出高次模抑制结构中波导的E面中心线与太赫兹芯片中心线处于同一水平面；/n所述太赫兹芯片至少包括：芯片主电路与天线电路；所述天线电路具体为：输入端片上集成偶极子天线与输出端片上集成偶极子天线；所述输入端片上集成偶极子天线伸入所述输入高次模抑制结构的末级波导内，所述输出端片上集成偶极子天线一端伸入所述输出高次模抑制结构的末级波导内；所述输入端片上集成偶极子天线与输出端片上集成偶极子天线还与芯片主电路相连。/n
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