[发明专利]高熵二硅化物及其制备方法有效
| 申请号： | 201910091158.7 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109608203B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张国军;刘吉轩;秦渊;李飞 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王文颖 |
| 地址： | 201600 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高熵二硅化物及其制备方法。所述高熵二硅化物的化学式为(A |
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| 搜索关键词： | 二硅化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高熵二硅化物，其特征在于，其化学式为(A0.2D0.2E0.2G0.2J0.2)Si2，其中，A、D、E、G、J为Ti、Zr、Nb、Mo、Hf和W中的任意五种不同的金属元素。
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