[发明专利]复合型沟槽式金氧半场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910091444.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111509028B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张渊舜 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 | 代理人： | 刘子文 |
| 地址： | 中国台湾新北市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合型沟槽式金氧半场效应晶体管，包括漏极区、本体区、多个第一沟槽、多个第一栅极、多个第二沟槽、多个第二栅极与多个源极区。本体区位于漏极区上。第一沟槽并排设置且沿第一方向延伸，第一沟槽穿过本体区进入到漏极区。第一栅极分别位于第一沟槽内。第二沟槽并排设置且沿与第一方向相异的第二方向延伸，第二沟槽穿过本体区进入到漏极区，其中，第一沟槽与第二沟槽连接而将本体区分割成多个区块，第二沟槽的宽度为第一沟槽的宽度的1.5至4倍。第二栅极分别位于第二沟槽内。源极区位于本体区内，并且邻接于第一沟槽与第二沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 沟槽 式金氧 半场 效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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