[发明专利]一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法有效
| 申请号： | 201910091582.1 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109887882B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 朱文辉;吴厚亚;王彦;李祉怡 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微孔 快速 填充 纳米 粒子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；(2)将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；(3)重复步骤(1)中所述真空处理与步骤(2)所述超声处理3次以上；(4)将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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