[发明专利]一种制备超薄无针孔介电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910091846.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109763101A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈丽娜;刘荣华;李丽媛;都有为 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/22;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 唐绍焜 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备超薄无针孔介电薄膜的方法，步骤(1)、通过物理气相沉积法沉积得到0.5～1nm超薄薄膜；步骤(2)、通过具有氧化特性的气体等离子体对所述步骤(1)得到的0.5～1nm超薄金属薄膜或超薄非金属薄膜进行氧化还原反应；步骤(3)、根据所要制备的超薄无针孔介电薄膜的目标厚度，重复步骤(1)和步骤(2)，得到目标厚度的超薄无针孔介电薄膜。本发明的方法无化学腐蚀性、能同腔原位和成膜速度快，且制备的介电薄膜粘附性强，致密度高，无针孔缺陷，且厚度和均匀性可大面积可控。 | ||
| 搜索关键词： | 介电薄膜 针孔 制备 物理气相沉积法 气体等离子体 氧化还原反应 非金属薄膜 化学腐蚀性 无针孔缺陷 超薄薄膜 超薄金属 氧化特性 粘附性强 均匀性 成膜 可控 薄膜 沉积 重复 | ||
【主权项】：
1.一种制备超薄无针孔介电薄膜的方法，其特征在于：包括步骤：步骤(1)、通过物理气相沉积法沉积得到0.5～1nm超薄薄膜；步骤(2)、通过具有氧化特性的气体等离子体对所述步骤(1)得到的0.5～1nm超薄金属薄膜或超薄非金属薄膜进行氧化还原反应；步骤(3)、根据所要制备的超薄无针孔介电薄膜的目标厚度，重复步骤(1)和步骤(2)，得到目标厚度的超薄无针孔介电薄膜。
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