[发明专利]基于纳米光刻光盘及其物理存储介质结构和写入读出方法有效
| 申请号： | 201910093281.2 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111508533B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王中阳;张力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | G11B7/0045 | 分类号： | G11B7/0045;G11B7/005;G11B7/24035;G11B7/24062;G11B7/24053 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 高彦 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基于纳米光刻光盘及其物理存储介质结构和写入读出方法，其中，根据纳米光刻信息写入方法的不同，基于纳米光刻光盘可分为：单光束光盘的物理存储介质结构和双光束光盘的物理存储介质结构；根据不同的光盘读取方法不同则可分为：1)多层介质膜反射光盘；2)超分辨荧光暗态光盘；3)双折射偏振光盘。本发明的技术方案结合基于纳米光刻光盘的读写方法可有效提高光盘信息读取速率和分辨能力，并极大地提升了光盘的存储密度和存储维度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 光刻 光盘 及其 物理 存储 介质 结构 写入 读出 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海高等研究院，未经中国科学院上海高等研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910093281.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷连轧机可变厚度自动轧制控制方法
- 下一篇：数据交互方法和装置
