[发明专利]OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置在审

专利信息
申请号: 201910093716.3 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN109888130A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 龚文亮;崔昇圭 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置,所述方法包括:使用多层阳极氧化铝模板制备纳米压印磨具;提供一TFT阵列基板,在所述TFT阵列基板表面由下到上依次设置OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板,所述彩膜基板包括彩膜层以及第一黑色矩阵;使用所述纳米压印磨具对所述第一黑色矩阵进行压印,形成第二黑色矩阵,所述第二黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构,压印后冷却,制成OLED显示装置。有益效果:本发明所提供的OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置,将彩膜基板上的黑色矩阵表面设置为凹陷的蜂窝状纳米结构,降低了黑色矩阵表面的反射率,进一步提高了黑色矩阵对光的吸收效率,更进一步增强了OLED显示装置在户外强光下的对比度。
搜索关键词: 黑色矩阵 制备 彩膜基板 黑色矩阵表面 纳米结构 纳米压印 蜂窝状 凹陷 磨具 压印 阳极氧化铝模板 薄膜封装层 户外强光 吸收效率 依次设置 彩膜层 反射率 后冷却 多层
【主权项】:
1.一种OLED显示装置的制备方法,其特征在于,所述方法包括:S10,使用多层阳极氧化铝模板制备纳米压印磨具;S20,提供一TFT阵列基板,在所述TFT阵列基板表面由下到上依次设置OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板,所述彩膜基板包括彩膜层以及第一黑色矩阵;S30,使用所述纳米压印磨具对所述第一黑色矩阵进行压印,形成第二黑色矩阵,所述第二黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构,压印后冷却,制成OLED显示装置。
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