[发明专利]氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法在审
申请号: | 201910094128.1 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109920736A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 王宏兴;王艳丰;常晓慧;王玮;问峰;王若铮;侯洵 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人: | 张瑞琪 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法,在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2,在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4,沉积介质层5覆盖所有结构,对介质层5图形化处理,保留源极3、漏极4及其之间的介质层5,在源极3和漏极4之间的介质层5上沉积出栅极6;本发明采用两步法制备介质层,通过两个步骤完成介质层的制备,先使用低温工艺制备一层介质层保护氢终端金刚石的二维空穴气不被破坏,再使用高温工艺沉积高质量介质层改善器件性能,从而提升器件的电学特性,该两步法制备的氧化铝薄膜,既可以最大程度的保护氢终端金刚石的二维空穴气,又可以得到高质量的介质层氧化铝薄膜。 | ||
搜索关键词: | 介质层 制备 氢终端 金刚石 两步法 沉积 漏极 源极 场效应晶体管 二维空穴气 金刚石外延 氧化铝薄膜 薄膜 图形化处理 低温工艺 电学特性 高温工艺 器件性能 提升器件 再使用 衬底 保留 生长 覆盖 | ||
【主权项】:
1.氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管的制备方法,其特征在于,在金刚石衬底(1)上生长出氢终端金刚石外延薄膜(2),在氢终端金刚石外延薄膜(2)上制备出源极(3)和漏极(4),沉积介质层(5)覆盖所有结构,对介质层(5)图形化处理,保留源极(3)、漏极(4)及其之间的介质层(5),在源极(3)和漏极(4)之间的介质层(5)上沉积出栅极(6);其中,沉积介质层(5)覆盖所有结构通过两个步骤完成:步骤1:使用低温工艺,沉积介质材料以获得覆盖所有结构的介质层;步骤2:使用高温工艺,在步骤1沉积的介质层上继续沉积同种介质,完成介质层(5)的沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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