[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910094257.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109830539A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 秦芳;胡泉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：一基板、一缓冲层、一多晶硅层、一栅极绝缘层、一栅极层、一间层绝缘层以及一源极与一漏极，所述栅极绝缘层包括一中央部分与设置于所述中央部分两侧的两个倾角部分，所述中央部分覆盖所述多晶硅层的沟道区，各所述倾角部分覆盖所述多晶硅层的轻掺杂区，使栅极绝缘层对应轻掺杂区形成倾角结构，实现通过一次掺杂制程完成薄膜晶体管的重掺杂与轻掺杂的效果。还提供一种薄膜晶体管制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 栅极绝缘层 多晶硅层 轻掺杂区 绝缘层 倾角结构 一次掺杂 沟道区 缓冲层 轻掺杂 栅极层 重掺杂 基板 间层 漏极 源极 制程 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，设置在所述基板上；一多晶硅层，设置在所述缓冲层上，所述多晶硅层包括一沟道区、两个设置于所述沟道区两侧的轻掺杂区以及两个设置于所述轻掺杂区两侧的重掺杂区；一栅极绝缘层，设置在所述多晶硅层上，所述栅极绝缘层包括一中央部分与设置于所述中央部分两侧的两个倾角部分，所述中央部分覆盖所述多晶硅层的所述沟道区，各所述倾角部分覆盖所述多晶硅层的所述轻掺杂区；一栅极层，设置在所述栅极绝缘层上，所述栅极层覆盖所述栅极绝缘层的所述中央部分，使所述重掺杂区露出；一间层绝缘层，覆盖在所述基板上；以及一源极与一漏极，设置在所述间层绝缘层上，所述源极与其中一重掺杂区连接，所述漏极与另一重掺杂区连接。
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