[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备在审
| 申请号： | 201910094403.X | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098210A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 庄山敏弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 汪晶晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。一种制造半导体装置的方法，包括在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽，通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域，以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的一侧形成第二沟槽。第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 半导体基板 表面相对 吸杂区域 制造 注入离子 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽；通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域；以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的所述一侧形成第二沟槽，其中，第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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