[发明专利]一种单层二维材料中能谷光子的分离方法及分离装置有效
| 申请号： | 201910094647.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109782455B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王凯;陆培祥;洪玄淼;赵文超;龙华;刘为为;王兵 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;G02B5/30 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层二维材料中能谷光子的分离方法，包括：制作纳米孔阵列；在纳米孔阵列的一表面上层叠单层二维材料薄膜；向纳米孔阵列的另一表面上入射线偏激光，线偏激光经纳米孔阵列的调制，得到自旋相反且发射方向不同的两束圆偏激光，单层二维材料薄膜在两束圆偏激光的激发下，发射出自旋相反且出射方向不同的两束能谷光子，完成能谷光子的分离。本发明采用纳米孔阵列辅助单层二维材料中能谷光子的分离，在产生倍频的能谷光子的同时，提高单层二维材料的倍频效率。另外，可以在常温下对能谷光子的出射方向进行操控，自由度高，能谷光子转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二维 材料 中能谷 光子 分离 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单层二维材料中能谷光子的分离方法，其特征在于，包括：步骤1、制作纳米孔阵列；步骤2、在所述纳米孔阵列的一表面上层叠单层二维材料薄膜；步骤3、向所述纳米孔阵列的另一表面上入射线偏激光，所述线偏激光经所述纳米孔阵列的调制，得到自旋相反且发射方向不同的两束圆偏激光，所述单层二维材料薄膜在所述两束圆偏激光的激发下发射出自旋相反且出射方向不同的两束能谷光子，完成能谷光子的分离。
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