[发明专利]一种GaN器件电应力可靠性的测试方法有效
| 申请号： | 201910095705.9 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109946577B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;陈管君;王小虎;董帅帅;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN器件电应力可靠性的测试方法，包括：对GaN器件进行电容‑电压测试，得到第一测试数据；对所述GaN器件施加电应力；对施加电应力后的所述GaN器件进行电容‑电压测试，得到第二测试数据；根据所述第一测试数据获取第一栅下界面态物理参数，根据所述第二测试数据获取第二栅下界面态物理参数；对比所述第一栅下界面态物理参数与所述第二栅下界面态物理参数，得到对比结果。本发明实施例通过对GaN器件施加电应力，由测试数据通过预设方法获取电应力前后栅下界面态密度、陷阱能级和时常数，反映了GaN器件栅下界面态的物理特性，得到电应力对器件内部陷阱的影响状况，从而得到GaN器件电应力可靠性的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 应力 可靠性 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN器件电应力可靠性的测试方法，其特征在于，包括：对GaN器件进行电容‑电压测试，得到第一测试数据；对所述GaN器件施加电应力；对施加电应力后的所述GaN器件进行电容‑电压测试，得到第二测试数据；根据所述第一测试数据获取第一栅下界面态物理参数，根据所述第二测试数据获取第二栅下界面态物理参数；对比所述第一栅下界面态物理参数与所述第二栅下界面态物理参数，得到对比结果。
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