[发明专利]单晶硅片制绒方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片制绒方法，包括：S1、将单晶硅片浸没在碱溶液和第一制绒辅助溶液的混合溶液中进行抛光刻蚀，第一制绒辅助溶液包括绒面刻蚀剂、金属络合剂、第一表面活性剂、第一消泡剂中的一种或多种；S2、将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在碱溶液和第二制绒辅助溶液的混合溶液中进行制绒刻蚀，第二制绒辅助溶液包括绒面成核剂、pH调节剂、第二表面活性剂、第二消泡剂中的一种或多种。本发明通过引入制绒辅助溶液，仅需抛光刻蚀和制绒刻蚀两步工艺即可实现单晶硅片的制绒，大大减少了工艺时间，提高了生产效率；制绒过程中无需使用双氧水，大大减少了碱的耗量，降低了生产成本；降低了硅片表面绒面的反射率，绒面反射率能达到10％左右，硅片表面陷光性能更佳，从而提升了光电转换效率。