[发明专利]半导体处理设备有效
| 申请号： | 201910096134.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109881181B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王启光;程诗垚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C14/48;C23C16/458;C23C14/50;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体处理设备，包括：处理腔室；位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；至少一个管状喷头，位于所述处理腔室内，设置于所述基座上方，用于向所述晶圆表面喷洒工艺气体，所述管状喷头包括管体和沿所述管体分布的气孔；随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，基座表面各处和所述管状喷头之间的垂直距离逐渐减小。上述半导体处理设备可以提高半导体处理均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：处理腔室；位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；至少一个管状喷头，位于所述处理腔室内，设置于所述基座上方，用于向所述晶圆表面喷洒工艺气体，所述管状喷头包括管体和沿所述管体分布的气孔；随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，基座表面各处和所述管状喷头之间的垂直距离逐渐减小。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
