[发明专利]存储器结构有效
| 申请号： | 201910096167.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111435659B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 车行远;李世平 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构，其包括绝缘层覆硅基底、第一晶体管、第二晶体管、隔离结构以及电容器。绝缘层覆硅基底包括硅基体以及依序设置于硅基体上的介电层与硅层。第一晶体管与第二晶体管设置于硅层上。隔离结构设置于第一晶体管与第二晶体管之间的硅层中。电容器设置于第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括主体部分、第一延伸部分、第二延伸部分以及第三延伸部分。第一延伸部分自主体部分延伸至与第一晶体管的源极/漏极区。第二延伸部分自主体部分延伸至与第二晶体管的源极/漏极区。第三延伸部分自主体部分延伸穿过隔离结构至介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司，未经力晶积成电子制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910096167.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
