[发明专利]一种过渡金属二硼化物高熵陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201910096356.2 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109734451A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 梁浩;彭放;管诗雪 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过渡金属二硼化物高熵陶瓷及其制备方法。主要涉及一种具有优异性能的的高熵陶瓷材料，属于高温结构陶瓷领域。将至少五IVB,VB和VIB族过渡金属硼化物粉末按照等摩尔比混合经过高能球磨、真空处理后被高熔点包裹材料封装预压后，在4~10 GPa，1000~1800℃的温压条件下烧结成二硼化物高熵陶瓷。本发明首次利用高温高压方法制备出了二硼化物高熵陶瓷，具有断裂韧性高、致密度高、硬度高、晶粒尺寸小和优异的抗氧化性等显著特点。本发明提供的方法具有成本低、对环境友好、原料易于获取、烧结工艺简单、产品性能好、成品率高等特点，便于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高熵 二硼化物 陶瓷 制备 过渡金属 等摩尔比混合 高温结构陶瓷 硼化物粉末 晶粒 包裹材料 产品性能 断裂韧性 高能球磨 高温高压 环境友好 抗氧化性 烧结工艺 陶瓷材料 显著特点 优异性能 真空处理 烧结 成品率 高熔点 温压 预压 封装 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属二硼化物高熵陶瓷及其制备方法，其特征在于：制备的二硼化物高熵陶瓷具有断裂韧性高、致密度高、硬度高、致密度高和优异的抗氧化性等显著特点。
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