[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 201910096745.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111508919A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 林裕杰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及半导体装置的制作方法，该半导体装置包括：具有金属垫的半导体基材、第一保护层、第二保护层、凸块下金属层、应力缓冲层、铜柱及焊料结构。第一保护层形成于半导体基材上且覆盖部分金属垫，第一保护层具有第一保护层开口，以显露部分金属垫；第二保护层形成于第一保护层上，第二保护层具有第二保护层开口，以显露部分金属垫；凸块下金属层形成于经第二保护层开口显露的部分金属垫；应力缓冲层形成于凸块下金属层上；铜柱设置于应力缓冲层上。此半导体装置可防止分层缺陷及裂缝问题的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
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