[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201910098426.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109742158A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 孙雪峰;刘国梁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置。具体的，本发明提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板，以及位于所述基板上的第一电极，以及覆盖第一电极的缓冲层；有源层，有源层位于缓冲层远离第一电极的一侧，且有源层在基板上的正投影和第一电极在基板上的正投影之间具有重叠区域；第二电极，第二电极位于有源层远离基板的一侧，第二电极以及有源层之间具有绝缘层，第一电极以及有源层之间通过第一过孔相连，第二电极通过第二过孔与有源层相连。由此，该薄膜晶体管的第一电极和第二电极(即源极和漏极)分层设置，可减少刻蚀残留物，且该第一电极可取代现有的薄膜晶体管中的遮光层，该薄膜晶体管生产成本较低，且使用性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 第一电极 源层 第二电极 基板 低温多晶硅薄膜晶体管 薄膜晶体管 显示装置 阵列基板 缓冲层 正投影 制备 绝缘层 刻蚀残留物 分层设置 使用性能 重叠区域 遮光层 漏极 源极 生产成本 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的第一电极，以及覆盖所述第一电极的缓冲层；有源层，所述有源层位于所述缓冲层远离所述第一电极的一侧，且所述有源层在所述基板上的正投影，和所述第一电极在所述基板上的正投影之间具有重叠区域；第二电极，所述第二电极位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述第二电极以及所述有源层之间具有绝缘层，所述第一电极以及所述有源层之间通过第一过孔相连，所述第二电极通过第二过孔与所述有源层相连。
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