[发明专利]一种提升开通速度的超高压碳化硅晶闸管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910098528.X | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109830529A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;刘青;王曦;安丽琪 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的一种提升开通速度的超高压碳化硅晶闸管，包括N+型碳化硅衬底，N+型碳化硅衬底的上表面依次外延生长有碳化硅N缓冲层、碳化硅P+缓冲层、碳化硅P长基区、碳化硅N‑低掺杂区、碳化硅N高掺杂区及碳化硅P+发射区，碳化硅P+发射区位于碳化硅N高掺杂区上面，碳化硅P+发射区表面覆盖有阳极欧姆电极接触，碳化硅N高掺杂区的两端上部分别镶嵌有碳化硅重掺杂N+区域，每个碳化硅重掺杂N+区域表面覆盖有门极欧姆电极，门极欧姆电极与碳化硅P+发射区之间形成门‑阳极隔离区，N+型碳化硅衬底的背面还覆盖有阴极欧姆电极；本发明还公开了上述晶闸管的制备方法，提升了晶闸管的开通速度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 欧姆电极 晶闸管 高掺杂区 发射区 衬底 阳极 超高压 缓冲层 重掺杂 覆盖 开通 阴极 发射区表面 低掺杂区 区域表面 外延生长 长基区 隔离区 上表面 门极 制备 背面 镶嵌 制作 | ||
【主权项】：
1.一种提升开通速度的超高压碳化硅晶闸管，其特征在于，包括N+型碳化硅衬底(12)，所述N+型碳化硅衬底(12)的上表面依次外延生长有碳化硅N缓冲层(1)、碳化硅P+缓冲层(2)、碳化硅P长基区(3)、碳化硅N‑低掺杂区(4)、碳化硅N高掺杂区(5)及碳化硅P+发射区(6)，所述碳化硅P+发射区(6)位于碳化硅N高掺杂区(5)上面，且碳化硅P+发射区(6)与碳化硅N高掺杂区(5)边缘形成台面结构，所述碳化硅P+发射区(6)表面覆盖有阳极欧姆电极接触(8)，所述碳化硅N高掺杂区(5)的两端上部分别镶嵌有碳化硅重掺杂N+区域(7)，每个所述碳化硅重掺杂N+区域(7)表面覆盖有门极欧姆电极(9)，所述门极欧姆电极(9)与所述碳化硅P+发射区(6)之间形成门‑阳极隔离区和钝化层(11)，所述N+型碳化硅衬底(12)的背面还覆盖有阴极欧姆电极(10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910098528.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锗硅HBT器件及制造方法
- 下一篇：IGBT结构
- 同类专利
- 专利分类
