[发明专利]直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法

摘要

本发明公开了直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法，具体步骤如下：在当前k时刻获得系统采样信号，将负载电压vos(k)与目标电压vf(k)比较形成偏差信号Δv(k)输入外环无模型自适应控制器，内环MLD模型根据当前时刻的采样信号以及当前时刻的控制量u(k)进行模型状态更新；计算得到电感电流参考值Iref(k)和内环MLD模型更新完毕的模型状态xm(k)；模型预测控制器根据Iref(k)以及当前时刻的模型状态xm(k)计算下一时刻的控制量u(k)，将得到的控制量施加到被控系统以及内环MLD模型中。本发明实现了具有感性负载特性的磁场电源的精确控制。与传统控制方法相比，系统参数与模型参数一致时提高了系统稳定性以及控制精度；当系统参数发生变化导致模型失配时，也可以通过内外环调节使系统稳定。

主权项

1.直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1：在当前k时刻获得系统采样信号，其中包括真实储能电感电流i_L1s(k)，真实负载电感电流i_L2s(k)以及真实负载电压v_os(k)，将系统负载电压v_os(k)与目标电压v_f(k)比较形成偏差信号Δv(k)，然后输入外环无模型自适应控制器MFAC；内环混合逻辑动态MLD模型根据当前时刻的采样信号以及当前时刻的控制量u(k)进行模型状态更新；步骤2：外环无模型自适应控制器MFAC根据步骤1得到的偏差信号Δv(k)计算出当前时刻内环电感电流的参考值I_ref(k)，内环MLD模型更新完毕得到当前时刻的模型状态x_m(k)；步骤3：模型预测控制器MPC根据步骤2得到的电感电流参考值I_ref(k)以及当前时刻的模型状态x_m(k)计算下一时刻的控制量u(k)，将得到的控制量施加到被控系统以及内环MLD模型中。